碳化硅肖特基二极管国产替代
国晶微资讯
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碳化硅功率器件在混动汽车中的优势应用分析！-国晶微半导体
　　SiC功率器件的主要用途是车载设备。SiC器件可以使纯电动汽车、混合动力车的电机控制系统损失的功率降低到1/10，实现低功耗化，同时，能将新能源汽车的效率提高10%，使用SiC工艺生产的功率器件的导通电阻更低、芯片尺寸更小、工作频率更高，并可耐受更高的环境温度。SiC器件随着成本不断降低，已经进入普及阶段。未来十年内SiC车规级功率器件将有更大的空间。　　2018年全球新能源乘用车共销售...
碳化硅肖特基选型工程师
2021/05/24
碳化硅肖特基二极管在开关电源中的优异性能！-国晶微半导体
要设计出具有最佳效率和外形尺寸的开关电源电路，二极管必须具有以下特点：反向恢复和正向恢复时间短，存储电荷最少的Qrr，泄漏电流和开关损耗小。过压和浪涌电流容量是非常重要的，它们可以用于处理PFC中由于起动和交流下降而产生的浪涌和过电流。只有使用SiC肖特基二极管才能实现这些特性。 碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD)相对传统的采用Si或GaAS技术的功率二极管(GaAS)而言，...
国产碳化硅肖特基二极管选型工程师
2021/05/20
碳化硅肖特基二极管在开关电源中的稳定应用！-国晶微半导体
为了设计出最佳效率和尺寸的开关电源电路，二极管必须具有以下特性：反向恢复和正向恢复时间短，最小存储费用qrr，低泄漏电流和开关损耗。过电压和浪涌电流能力是非常重要的，它们可以用来处理功率因数校正（PFC）中由于启动和交流衰减引起的浪涌和过电流，这些特性只能通过使用SiC肖特基二极管来实现。 与传统的采用Si或GaAs工艺的功率二极管相比，sicsbd能显著降低开关损耗，提高开关...
国产碳化硅肖特基二极管选型工程师
2021/05/19
SiC肖特基二极管在PFC电路中的优势应用！-国晶微半导体
目前，在实现“绿色能源”的新技术革命中，众多高频开关电源已经开始实现高功率因数校正技术(特别是在通信电源中)，采用有源功率因数校正的居多。连续导电模式Boost变换器是电源系统中应用较广的功率因数校正变换器。在硬开关连续导电模式Boost变换中，升压二极管的反向恢复会引起较大的反向恢复损耗和过高的di/dt，产生严重的电磁干扰。在提高功率因数的同时，提高开关管及半导体管的热稳定性，降...
碳化硅肖特基二极管选型工程师
2021/05/18
碳化硅肖特基二极管和MOSFET在恶劣环境中的应用！-国晶微半导体
半导体市场的最新趋势是碳化硅（SIC）器件的广泛应用，包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管（sbd）和功率mosfet。同时，由于可供分析的现场数据有限，这些器件的长期可靠性问题也成为亟待解决的热点问题。一些碳化硅供应商已经开始按照严格的工业和汽车标准对碳化硅器件进行认证，而另一些供应商不仅超出了这些认证标准的要求，而且还提供了恶劣环境耐受性测试的数据。为了在任务和安全关键应用中...
国产碳化硅肖特基二极管选型工程师
2021/05/17
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