SiC肖特基二极管在PFC电路中的优势应用!-国晶微半导体

碳化硅肖特基二极管选型工程师
2021-05-18

    目前,在实现“绿色能源”的新技术革命中,众多高频开关电源已经开始实现高功率因数校正技术(特别是在通信电源中),采用有源功率因数校正的居多。连续导电模式Boost变换器是电源系统中应用较广的功率因数校正变换器。在硬开关连续导电模式Boost变换中,升压二极管的反向恢复会引起较大的反向恢复损耗和过高的di/dt,产生严重的电磁干扰。在提高功率因数的同时,提高开关管及半导体管的热稳定性,降低电磁干扰(EMI)、电压应力及电流应力尤为重要。目前,众多软开关技术、无损吸收电路应用到PFC的电路上,确实达到了很好的效果,但增加的元器件使成本增加了,同时也降低了电源的可靠性。


    本文提到一种新型材料——SiC(碳化硅功率器件),用其制作成的肖特基势垒二极管具有正温度系数及反向恢复时间接近零的特点,使得PFC上的MOSFET开通损耗减少,效率得到进一步的提升。通过制作一台500WAC/DC电源以验证该论点。

    SiC碳化硅二极管的特点!


    近年来,SiC材料应用于电子设备技术有了长足的发展,SiC材料比通用Si有更突出的优点。这主要是因为SiC材料比通用的材料有更高的电场击穿电压2.4×106V/cm、更快的电荷移动速度、更宽的能带间隙,材料导热能力是Si的2~3倍。这些优点使得基于SiC制成的肖特基势垒二极管表现出高的温度特性(允许最高工作温度达到300℃,是Si材料的2倍)、高的反向耐压、低的导通电阻和高的开关频率。以上特点能使电源系统中的串联开关器件体积最小化,开关频率的提高也使系统的体积进一步缩小。


    SiC二极管稳态和暂态特性对PFC的影响


    连续模式Boost变换器的基本拓扑结构如图1所示。它被广泛应用于功率因数校正电路,电感电流为连续模式。在该电路中,二极管稳态和暂态特性对PFC电路影响很大,在这里重点讨论。


    (1)稳态特性——前向电压Uf


    如图2(a)所示Si材料超快恢复二极管(DSEP1506A:15A,600V)在室温条件下测试前向电压降。在2~5A时,正向压降基本不变,接近饱和,从另一个侧面说明Si材料二极管在高温时候,正向压降变小,二极管具有负温度特性。


    如图2(b)所示碳化硅肖特基二极管(CSD04060:4A/600V)在室温条件下测试前向电压降。在0~4A负载电流变化时,正向压降基本是线性增加,从另一个侧面说明碳化硅肖特基二极管在高温时候,正向压降线性增加,说明SiC二极管具有正温度特性。


    在大功率PFC电路中,二极管可能需要并联使用以扩大容量,器件的电流均匀分配问题需要考虑,二极管的前向电压和导通电阻的特性是关键。碳化硅肖特基二极管所特有的正温度系数的特性能保证器件并联时的均流要求。假设由于某些原因,两个SiC二极管出现电流不均匀的状态,其中一个二极管分配的电流较大,则它的导通电阻、正向压降就相应的增大,阻碍电流的进一步增大,从而促进电流的再一次分配最后达到电流平衡状态。由于Si材料的二极管具有负温度特性,使得在器件均流的问题上进一步的恶化,不利于工作的稳定性。因此,碳化硅肖特基二极管适用直接器件并联。

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    一般来说,我们都希望在单相PFC电路中的二极管D1的反向恢复时间越短越好。反向恢复电流会给我们带来很多问题,如二极管反向恢复损耗,及由此引发的严重MOSFET开通损耗等。不少软开关或无损吸收技术应用到PFC电路中,如图4是一个典型的无损吸收的应用,目的也是为了克服二极管的反向恢复时间所带来的问题。它可实现主开关管接近零电流开通、零电压关断,同时升压二极管为零电流关断,提高了PFC的效率。但这种电路中,二极管的谐振电压会比较高,甚至达到二极管的额定电压,同时所用的元器件比较多,增加了成本,也降低了系统的可靠性。


    二极管关断时存在反向恢复时间问题,造成的MOSFET在该区间开通时的开通电流加大。二极管的反向势垒电容越大,MOSFET的开通峰值电流也越大。


    用超快恢复二极管时MOSFET开通电流和电压波形如图7(b)所示,MOSFET开通电流的峰值高至11.4A。用碳化硅肖特基二极管时MOSFET的开通的电流、电压和开通损耗波形如图7(a)所示,MOSFET开通电流的峰值只有6.5A。后者的开通损耗(面积)比前者开通损耗(面积)减少近2/3。


    通过上述分析,SiC的前向电压在额定电流值时是2.00V,高于超快恢复二极管的前向电压(1.30V)。因此,SiC的导通损耗是比超快恢复二极管的导通损耗高,但导通损耗在整个电源损耗中只占小部分,关键还是要减少半导体器件的开关损耗。用碳化硅肖特基二极管导致MOSFET的开通损耗减少的效果尤为明显。


    在90V交流输入测试时,整机效率从85%上升到86%,有接近6W的损耗减少了;220V交流输入时,整机效率在90%以上。从而散热片可以适当的减少,频率可以适当的提高,从而节约成本。

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    3.总结


    在电源PFC电路中使用碳化硅肖特基二极管会带给我们很多好处。电源效率得到了提高是显而易见的,在其他条件不变时,只需更换二极管就能减小损耗;由于不再需要考虑软开关或无损吸收技术,缩短了电源的开发周期、减少了元件数量、简化了电路结构;更为重要的是它减小了对周围电路的电磁干扰,提高了电源的可靠性,使我们的产品具有更高的竞争力。


    无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业,从事碳化硅场效应管,碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内,并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。


    公司具有国内领先的研发实力,专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力。


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