硅是目前应用最广泛的功率器件半导体材料。但是，基于Si的电力设备正接近其材料极限已经促使许多人努力寻找基于Si的替代方案电源设备性能更好。 随着半导体工业的迅速革新和发展，碳化硅（SiC）功率器件是从实验室中的不成熟原型是硅基功率器件高效、低成本的可行替代品高功率密度应用。 SiC功率器件有几个引人注目的优点，比如高击穿电压，高工作电场，高工作温度，高开关频率和低损耗。即...

　　碳化硅功率器件（SiC）由于具有宽频带隙和高导热系数等固有的材料特性，在中高压功率半导体器件制造中得到了广泛的应用。肖特基二极管、mosfet和jfet是目前市场上最流行的SiC功率器件。特别是SiC肖特基二极管已经成功应用于电力领域近20年。最早的SiC肖特基二极管采用纯肖特基势垒二极管（SBD）结构。后来，这种结构演变成一种称为结势垒肖特基（JBS）的低反向漏电流结构。最新的结构被称...

　　近年来，随着人们节能意识的提高，能够承受更高电压、更节能、体积更小的SiC碳化硅功率半导体在交流400V工业设备领域得到越来越广泛的应用。另一方面，除了主电源电路外，还内置辅助电源，为工业设备中的各种控制系统提供电源电压。但由于设计周期的考虑，低耐压的Si-MOSFET和大损耗的IGBT仍被广泛应用，在节能方面存在很大的问题。　　针对这些挑战，内置高压低损耗SiC（碳化硅） MOSFET...

　　为优化开关电源电路的效率和尺寸，碳化硅二极管必须具有较短的反向恢复时间和较短的正存恢复时间、较小的漏电电流和较低的开关损耗。过压和浪涌电流能力十分重要，可用于处理功率因数校正(PFC)中因起动和交流衰减而产生的浪涌和过流等问题，只有使用SiC肖特基二极管才能实现这些特性。　　相对于Si或GaAs的传统功率二极管，sicsbd可明显减少开关损耗，提高开关频率，并使工作电压范围高于Si工艺。...

　　几十年前，半导体硅材料在功率半导体器件领域一直处于领先地位。然而，随着电力领域对小型化、高频化、高温化、高压化和抗辐射性的迫切需求，硅基功率器件已经达到理论极限。第二代半导体材料，例如砷化镓（GaAs）、碳化硅功率器件（SIC）、氮化镓（GAN）、氮化铝（AlN）、氧化锌（ZnO）、碳化硅（SIC）、碳化硅（GAN）、氮化铝（AlN）、氧化锌（ZnO）、碳化硅（ZnO）、碳化硅（SIC）...