碳化硅功率器件（SiC）由于具有宽频带隙和高导热系数等固有的材料特性，在中高压功率半导体器件制造中得到了广泛的应用。肖特基二极管、mosfet和jfet是目前市场上最流行的SiC功率器件。特别是SiC肖特基二极管已经成功应用于电力领域近20年。最早的SiC肖特基二极管采用纯肖特基势垒二极管（SBD）结构。后来，这种结构演变成一种称为结势垒肖特基（JBS）的低反向漏电流结构。最新的结构被称为合并PN肖特基（MPS）表现出大量增加浪涌电流处理能力。

　　我们在电力半导体器件设计方面有着丰富的经验。设计过程包括基于客户需求设定设计目标、使用EDA工具进行器件和工艺模拟、掩模设计和工艺设计、铸造制造、装配和可靠性测试。经过多轮的试验、优化、寿命试验和应用试验，得到了设计优化的合格产品。

　　为了追求最佳的器件性能，所有的SiC肖特基二极管都采用了一种合并的PN肖特基（MPS）结构。在高正向电流密度下，PN结将开始在二极管的漂移区注入少数载流子（电导调制），并接管肖特基结的电流传导。因此，在高电流密度下，MPS将比传统JBS结构具有更低的正向电压降。这使得MPS装置能够承受更高的浪涌电流。然而，增大PN面积会导致肖特基面积减小。这导致在双极结构尚未运行时，在标称正向电流下“导通电阻”增加。因此，在标称正向传导能力和浪涌电流处理能力之间存在权衡。通过精心设计的P+岛和独特的欧姆接触工艺，实现了对有效肖特基面积没有显著影响的有效浪涌电流传导路径。这使得二极管在不损失标称电流传导能力的情况下具有优越的浪涌电流处理能力。

　　一种适于生产功率器件的SiC晶片由两层组成：厚衬底层和生长在其上的薄外延层。厚实的衬底使大尺寸SiC晶圆在半导体加工、搬运和运输过程中具有所需的机械稳定性。然而，基板的电功能是最小的。二极管阻断高反向电压的功能被外延层覆盖，只有在正向操作中，衬底才起到电流传导通路的作用。不幸的是，电流传导路径起串联电阻的作用。商用碳化硅衬底的掺杂浓度不高，因此串联电阻非常明显，特别是650V碳化硅器件。这会导致意外的功率损失。降低串联电阻和功率损耗的一种方法是在半导体加工完成后使衬底层变薄，即所谓的衬底反研磨。

　　碳化硅是一种非常坚硬的材料，它对磨削等机械处理带来了一些挑战：裂纹预防、表面粗糙度和厚度均匀性等等。然而，领先的制造工艺和卓越的质量控制使能够生产出比市场上标准产品厚度仅为1/3的SiC产品。薄芯片使SiC二极管具有更好的电流传导能力和更低的热阻。

　　严格的生产管理和质量控制是保证产品性能稳定的基本要素。为向客户提供最可靠的碳化硅二极管产品，我们建立了全面的质量和可靠性控制体系和程序。所有碳化硅产品必须经过100%静态参数测试、100%浪涌电流处理测试（IFSM）和100%雪崩能力测试（UIS）。产品符合JEDEC标准或更严格的可靠性测试要求，例如，将HTRB测试周期从1000小时延长到3000小时。

　　由于其优异的材料性能，SiC肖特基二极管可以表现出比硅PN结二极管更好的性能。结合先进的芯片设计能力和成熟的制造工艺，目前生产出了性能优异的SiC肖特基二极管。

　　无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业，从事碳化硅场效应管，碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务，总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内，并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。

　　公司具有国内领先的研发实力，专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力。

　　公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性，即使在高温条件下也能体现优异的电气特性，大幅降低开关损耗，使元器件更小型化及轻量化，效能更高效，提高系统整体可靠性，可使电动汽车在续航里程提升10%，整车重量降低5%左右，并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。

　　特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm光敏光栅开关PVG芯片技术，并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrms SOP超小封装及3750kVrms隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装，单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品，另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品，均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。

　　公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位，并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系，在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术，拥有多项国际、国内自主发明专利。

　　“国之重器，从晶出发，自强自主，成就百年”是国晶微半导体的企业目标，我们为员工提供精彩的发展空间，为客户提供精良的产品服务，我们真诚期待与您携手共赢未来。